设备配有三支磁控靶，两套直流电源，可用于镀多层导电金属膜。同时设备具有主腔室和过渡舱两部分，过渡舱配有磁力推杆，两个舱室之间装有真空闸板阀；用户可以在主腔室进行溅射工作的同时，在过渡舱装填样品，并进行真空预抽，待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数，不仅能有效节省时间，更能保证更好的本地真空，有效提高镀膜质量
三靶磁控镀膜仪技术参数：
| 项目 | 明细 | |
| 产品型号 | CY-MSH325G-III-DCDCRF-SS | |
| 供电电源 | VAC 110, 60Hz | |
| 样品台 | 位置 | 下部，带挡板 |
| 直径尺寸 | φ150mm | |
| 可调转速 | 0-20rpm 可调 | |
| 加热温度 | RT~500oC | |
| 真空腔体 | 腔体尺寸 | φ325xH510mm |
| 腔体材料 | 304 不锈钢 | |
| 内壁处理 | 电解抛光 | |
| 密封方式 | 氟橡胶密封 | |
| 观察窗口 | φ100mm（带挡板） | |
| 磁控靶枪 | 数量 | 3 |
| 摆头角度 | 可调角度 -45~45 度 | |
| 溅射方向 | 向下溅射 | |
| 靶材平面 | 圆形平面靶 | |
| 靶材直径 | 2英寸 | |
| 靶材厚度 | *厚3mm | |
| 直流电源 | 数量 | 2台 |
| 电源功率 | 0~500W | |
| 输出电压 | 0～600V | |
| *大输出电流 | 1A | |
| 启动时间 | 1~10S | |
| 射频电源 | 数量 | 1台 |
| 电源功率 | 0~500W | |
| 射频频率 | 13.56MHz | |
| 匹配方式 | 自动匹配 | |
| 反射功率 | ≦100W | |
| 功率稳定性 | ±0.1% | |
| 膜厚监测仪 | 通道数 | 单通道 |
| 测量精度 | 0.1 Å | |
| 测量速度 | 100ms-1s/次，可设置测量范围：500000Å（铝） | |
| 标准传感器晶体 | 6MHz | |
| 适用晶片尺寸 | Φ14mm | |
| 真空系统 | 前级泵 | 双极旋片泵，抽速1.1L/s |
| 涡轮分子泵 | 抽速600L/s 额定转速：27000rpm 启动时间：≦5min 冷却方式：水冷 | |
| 真空度 | 5x10-4Pa | |
| 真空测量 | 复合真空计，测量范围10-5Pa ~ 105 Pa | |
| 过渡仓 | 腔体尺寸要适用于*大4英寸的晶圆 配备分子泵组： 前级泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s | |
| 水冷机 | 冷却水流速 | 10L/min |
| 整机功率 | 0.1KW | |
| 冷却功率 | 50W/℃ | |
| 水箱容量 | 9L | |
| 气体控制 | 1路质量流量计：Ar气，范围0-200sccm | |
| 控制系统 | CYKY自研专业级控制系统 | |
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